产品参数
系列
-
型电晶体
N-Channel
包装
Tape & Reel (TR)
vg (Max)
±20V
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性
Schottky Diode (Body)
零件状态
Obsolete
安装形式
Surface Mount
包装箱
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, vg
5.3mOhm @ 19A, 10V
最大功耗
3.1W (Ta)
供应商产品包装
8-SOIC
闸极电荷(Max) @ vg
35nC @ 10V
漏源电压(Vdss)
30V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds
2200pF @ 15V
电流-连续漏(Id) @ 25°C
19A (Ta)
驱动电压(最大Rds On,最小Rds On)
4.5V, 10V