AON1605_001

产品参数

---

系列

-

型电晶体

P-Channel

包装

Bulk

vg (Max)

±8V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Obsolete

安装形式

Surface Mount

包装箱

3-UFDFN

Vgs(th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

710mOhm @ 400mA, 4.5V

最大功耗

900mW (Ta)

供应商产品包装

3-DFN (1.0 x 0.60)

闸极电荷(Max) @ vg

750nC @ 4.5V

漏源电压(Vdss)

20V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

700mA (Ta)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

1.5V, 4.5V