AON6362

产品参数

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系列

-

型电晶体

N-Channel

包装

Cut Tape (CT)

vg (Max)

±20V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Active

安装形式

Surface Mount

包装箱

8-PowerSMD, Flat Leads

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

5.2mOhm @ 20A, 10V

最大功耗

6.2W (Ta), 31W (Tc)

供应商产品包装

8-DFN (5x6)

闸极电荷(Max) @ vg

13nC @ 10V

漏源电压(Vdss)

30V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

820pF @ 15V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

27A (Ta), 60A (Tc)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

4.5V, 10V