产品参数
系列
AlphaSGT™
型电晶体
N-Channel
vg (Max)
±20V
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性
-
零件状态
Active
安装形式
Surface Mount
包装箱
8-PowerVDFN
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, vg
6.1mOhm @ 20A, 10V
最大功耗
5W (Ta), 27W (Tc)
供应商产品包装
8-DFN-EP (3x3)
闸极电荷(Max) @ vg
30nC @ 10V
漏源电压(Vdss)
40V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds
1480pF @ 20V
电流-连续漏(Id) @ 25°C
22A (Ta), 30A (Tc)
驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)
4.5V, 10V
