产品参数
系列 - 型电晶体 N-Channel 包装 Tube vg (Max) ±30V 技术 MOSFET (Metal Oxide) 场效应晶体管的特性 - 零件状态 Obsolete 安装形式 Through Hole 包装箱 TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 操作温度 -55°C ~ 150°C (TJ) Rds On (Max) @ Id, vg 260mOhm @ 10A, 10V 最大功耗 463W (Tc) 供应商产品包装 TO-220 闸极电荷(Max) @ vg 80nC @ 10V 漏源电压(Vdss) 600V 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 3607pF @ 100V 电流-连续漏(Id) @ 25°C 20A (Tc) 驱动电压(最大Rds On，最小Rds On) 10V 
