AOT412

产品参数

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系列

SDMOS™

型电晶体

N-Channel

包装

Tube

vg (Max)

±25V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Active

安装形式

Through Hole

包装箱

TO-220-3

Vgs(th) (Max) @ Id

3.8V @ 250µA

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

15.8mOhm @ 20A, 10V

最大功耗

2.6W (Ta), 150W (Tc)

供应商产品包装

TO-220

闸极电荷(Max) @ vg

54nC @ 10V

漏源电压(Vdss)

100V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

3220pF @ 50V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

8.2A (Ta), 60A (Tc)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

7V, 10V