产品参数
系列 - 型电晶体 N-Channel 包装 Tube vg (Max) ±20V 技术 MOSFET (Metal Oxide) 场效应晶体管的特性 - 零件状态 Active 安装形式 Through Hole 包装箱 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 250µA 操作温度 -55°C ~ 175°C (TJ) Rds On (Max) @ Id, vg 6.2mOhm @ 20A, 10V 最大功耗 2.1W (Ta), 375W (Tc) 供应商产品包装 TO-262 闸极电荷(Max) @ vg 136nC @ 10V 漏源电压(Vdss) 150V 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 6460pF @ 75V 电流-连续漏(Id) @ 25°C 11.5A (Ta), 152A (Tc) 驱动电压(最大Rds On，最小Rds On) 6V, 10V 
