CEDM8004 BK

产品参数

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系列

-

型电晶体

P-Channel

包装

Bulk

vg (Max)

8V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Active

安装形式

Surface Mount

包装箱

SC-101, SOT-883

Vgs(th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

1.1Ohm @ 430mA, 4.5V

最大功耗

100mW (Ta)

供应商产品包装

SOT-883

闸极电荷(Max) @ vg

0.88nC @ 4.5V

漏源电压(Vdss)

30V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

55pF @ 25V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

450mA (Ta)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

1.8V, 4.5V