CMLDM8120G TR

产品参数

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系列

-

型电晶体

P-Channel

包装

Digi-Reel®

vg (Max)

8V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Active

安装形式

Surface Mount

包装箱

SOT-563, SOT-666

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

150mOhm @ 950mA, 4.5V

最大功耗

350mW (Ta)

供应商产品包装

SOT-563

闸极电荷(Max) @ vg

3.56nC @ 4.5V

漏源电压(Vdss)

20V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

200pF @ 16V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

860mA (Ta)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

1.8V, 4.5V