CMPDM202PH TR

产品参数

---

系列

-

型电晶体

P-Channel

包装

Cut Tape (CT)

vg (Max)

12V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Obsolete

安装形式

Surface Mount

包装箱

SOT-23-3 Flat Leads

Vgs(th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

88mOhm @ 1.2A, 5V

最大功耗

350mW (Ta)

供应商产品包装

SOT-23F

闸极电荷(Max) @ vg

12nC @ 5V

漏源电压(Vdss)

20V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

800pF @ 10V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

2.3A (Ta)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

2.5V, 5V