CWDM3011P TR13

产品参数

---

系列

-

型电晶体

P-Channel

包装

Cut Tape (CT)

vg (Max)

20V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Active

安装形式

Surface Mount

包装箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

20mOhm @ 11A, 10V

最大功耗

2.5W (Ta)

供应商产品包装

8-SOIC

闸极电荷(Max) @ vg

80nC @ 10V

漏源电压(Vdss)

30V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

3100pF @ 8V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

11A (Ta)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

4.5V, 10V