产品参数
系列
eGaN®
型电晶体
N-Channel
包装
Digi-Reel®
vg (Max)
+6V, -4V
技术
GaNFET (Gallium Nitride)
场效应晶体管的特性
-
零件状态
Active
安装形式
Surface Mount
包装箱
Die
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 11mA
操作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, vg
4mOhm @ 30A, 5V
最大功耗
-
供应商产品包装
Die
闸极电荷(Max) @ vg
15nC @ 5V
漏源电压(Vdss)
100V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds
1530pF @ 50V
电流-连续漏(Id) @ 25°C
48A (Ta)
驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)
5V
