MB85RS2MTAPH-G-JNE2

产品参数

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系列

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包装

Tray

技术

FRAM (Ferroelectric RAM)

存储容量

2Mb (256K x 8)

记忆类型

Non-Volatile

零件状态

Not For New Designs

记忆格式化

FRAM

安装形式

Through Hole

包装箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

时钟频率

40MHz

存储器接口

SPI

稳压电源

1.8V ~ 3.6V

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

供应商产品包装

8-DIP

写周期时间-字，页

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