GP1M008A025PG

产品参数

---

系列

-

型电晶体

N-Channel

包装

Tube

vg (Max)

±30V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Obsolete

安装形式

Through Hole

包装箱

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

600mOhm @ 4A, 10V

最大功耗

52W (Tc)

供应商产品包装

I-PAK

闸极电荷(Max) @ vg

8.4nC @ 10V

漏源电压(Vdss)

250V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

423pF @ 25V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

8A (Tc)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

10V