GP1M009A090N

产品参数

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系列

-

型电晶体

N-Channel

包装

Tube

vg (Max)

±30V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Obsolete

安装形式

Through Hole

包装箱

TO-3P-3, SC-65-3

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

1.4Ohm @ 4.75A, 10V

最大功耗

312W (Tc)

供应商产品包装

TO-3PN

闸极电荷(Max) @ vg

65nC @ 10V

漏源电压(Vdss)

900V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

2324pF @ 25V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

9.5A (Tc)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

10V