IXDN602SIA

产品参数

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系列

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闸极类型

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

包装

Tube

输入类型

Non-Inverting

零件状态

Active

沟道导电类型

Independent

安装形式

Surface Mount

包装箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

稳压电源

4.5V ~ 35V

驱动数量

2

配置流驱动

Low-Side

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

升降时间(类型)

7.5ns, 6.5ns

供应商产品包装

8-SOIC

逻辑电压- VIL, VIH

0.8V, 3V

电流峰值输出(源、汇)

2A, 2A