产品参数
系列 HiPerRF™ 型电晶体 N-Channel 包装 Tube vg (Max) ±20V 技术 MOSFET (Metal Oxide) 场效应晶体管的特性 - 零件状态 Active 安装形式 Chassis Mount 包装箱 SOT-227-4, miniBLOC Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 8mA 操作温度 -55°C ~ 150°C (TJ) Rds On (Max) @ Id, vg 85mOhm @ 27.5A, 10V 最大功耗 600W (Tc) 供应商产品包装 SOT-227B 闸极电荷(Max) @ vg 195nC @ 10V 漏源电压(Vdss) 500V 输入电容(Ciss) (Max) @ Vds 6700pF @ 25V 电流-连续漏(Id) @ 25°C 55A (Tc) 驱动电压(最大Rds On，最小Rds On) 10V 
