产品参数
系列
HiPerRF™
型电晶体
N-Channel
包装
Tube
vg (Max)
±20V
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性
-
零件状态
Obsolete
安装形式
Surface Mount
包装箱
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, vg
1.05Ohm @ 6A, 10V
最大功耗
300W (Tc)
供应商产品包装
TO-268 (IXFT)
闸极电荷(Max) @ vg
77nC @ 10V
漏源电压(Vdss)
1000V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 25V
电流-连续漏(Id) @ 25°C
12A (Tc)
驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)
10V
