产品参数
系列
HEXFET®
型电晶体
N-Channel
包装
Cut Tape (CT)
vg (Max)
±20V
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性
-
零件状态
Obsolete
安装形式
Surface Mount
包装箱
DirectFET™ Isometric MX
Vgs(th) (Max) @ Id
2.45V @ 250µA
操作温度
-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, vg
2.7mOhm @ 27A, 10V
最大功耗
2.8W (Ta), 89W (Tc)
供应商产品包装
DIRECTFET™ MX
闸极电荷(Max) @ vg
42nC @ 4.5V
漏源电压(Vdss)
20V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds
4130pF @ 10V
电流-连续漏(Id) @ 25°C
27A (Ta), 150A (Tc)
驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)
4.5V, 10V
