FF23MR12W1M1B11BOMA1

产品参数

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系列

CoolSiC™+

型电晶体

2 N-Channel (Dual)

包装

Tray

场效应晶体管的特性

Silicon Carbide (SiC)

零件状态

Active

整机最大功率

20mW

安装形式

Chassis Mount

包装箱

Module

Vgs(th) (Max) @ Id

5.55V @ 20mA

操作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

23mOhm @ 50A, 15V

供应商产品包装

Module

闸极电荷(Max) @ vg

125nC @ 15V

漏源电压(Vdss)

1200V (1.2kV)

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

3950pF @ 800V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

50A