产品参数
系列
HEXFET®, StrongIRFET™
型电晶体
N-Channel
包装
Tube
vg (Max)
±20V
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性
-
零件状态
Active
安装形式
Through Hole
包装箱
TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, vg
4.2mOhm @ 115A, 10V
最大功耗
441W (Tc)
供应商产品包装
TO-220AB
闸极电荷(Max) @ vg
255nC @ 10V
漏源电压(Vdss)
100V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds
9500pF @ 50V
电流-连续漏(Id) @ 25°C
192A (Tc)
驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)
10V
