产品参数
系列
SIPMOS®
型电晶体
P-Channel
包装
Tube
vg (Max)
±20V
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性
-
零件状态
Obsolete
安装形式
Through Hole
包装箱
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
操作温度
-
Rds On (Max) @ Id, vg
130mOhm @ 13.2A, 10V
最大功耗
-
供应商产品包装
PG-TO251-3
闸极电荷(Max) @ vg
33nC @ 10V
漏源电压(Vdss)
60V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds
860pF @ 25V
电流-连续漏(Id) @ 25°C
18.6A (Tc)
驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)
10V
