产品参数
系列
CoolMOS™
型电晶体
N-Channel
包装
Tube
vg (Max)
±20V
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性
-
零件状态
Not For New Designs
安装形式
Through Hole
包装箱
TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, vg
220mOhm @ 13.1A, 10V
最大功耗
208W (Tc)
供应商产品包装
PG-TO247-3
闸极电荷(Max) @ vg
124nC @ 10V
漏源电压(Vdss)
650V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds
2400pF @ 25V
电流-连续漏(Id) @ 25°C
20.7A (Tc)
驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)
10V
