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1N5802US
图片仅供参考。有关产品详细信息,请参阅产品规格
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1N5802US

DIODE GEN PURP 50V 1A D5A


生产商: Microsemi Corporation

数据表: 1N5802US

价格:

USD $11.22

库存: 128 pcs

产品参数

速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
系列
-
包装
Bulk
温度测量
Standard
零件状态
Active
安装形式
Surface Mount
包装箱
SQ-MELF, A
电容@ Vr, F
25pF @ 10V, 1MHz
供应商产品包装
D-5A
反向恢复时间Trr
25ns
电流-反向泄漏@ Vr
1µA @ 50V
电压-直流反向(Vr) (Max)
50V
电流平均整流
1A
工作结温
-65°C ~ 175°C
电压-正向(Vf) (Max) @ If
875mV @ 1A

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