产品参数
系列
POWER MOS IV®
型电晶体
N-Channel
包装
Tube
vg (Max)
±30V
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性
-
零件状态
Obsolete
安装形式
Through Hole
包装箱
TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, vg
1Ohm @ 5.5A, 10V
最大功耗
310W (Tc)
供应商产品包装
TO-247AD
闸极电荷(Max) @ vg
130nC @ 10V
漏源电压(Vdss)
1000V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds
2950pF @ 25V
电流-连续漏(Id) @ 25°C
11A (Tc)
驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)
10V
