PMR400UN,115

产品参数

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系列

TrenchMOS™

型电晶体

N-Channel

包装

Digi-Reel®

vg (Max)

±8V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Obsolete

安装形式

Surface Mount

包装箱

SC-75, SOT-416

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

480mOhm @ 200mA, 4.5V

最大功耗

530mW (Tc)

供应商产品包装

SC-75

闸极电荷(Max) @ vg

0.89nC @ 4.5V

漏源电压(Vdss)

30V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

43pF @ 25V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

800mA (Tc)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

1.8V, 4.5V