产品参数
系列
TrenchMOS™
型电晶体
N-Channel
包装
Digi-Reel®
vg (Max)
±8V
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性
-
零件状态
Obsolete
安装形式
Surface Mount
包装箱
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 1mA
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, vg
47mOhm @ 2A, 4.5V
最大功耗
1.9W (Tc)
供应商产品包装
TO-236AB (SOT23)
闸极电荷(Max) @ vg
9.3nC @ 4.5V
漏源电压(Vdss)
30V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds
445pF @ 30V
电流-连续漏(Id) @ 25°C
4.9A (Tc)
驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)
1.8V, 4.5V
