PH3120L,115

产品参数

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系列

TrenchMOS™

型电晶体

N-Channel

包装

Digi-Reel®

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Obsolete

安装形式

Surface Mount

包装箱

SC-100, SOT-669

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

2.65mOhm @ 25A, 10V

最大功耗

62.5W (Tc)

供应商产品包装

LFPAK56, Power-SO8

闸极电荷(Max) @ vg

48.5nC @ 4.5V

漏源电压(Vdss)

20V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

4457pF @ 10V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

100A (Tc)