PMBF170,215

产品参数

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系列

TrenchMOS™

型电晶体

N-Channel

包装

Digi-Reel®

vg (Max)

±20V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Active

安装形式

Surface Mount

包装箱

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Vgs(th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

5Ohm @ 500mA, 10V

最大功耗

830mW (Tc)

供应商产品包装

TO-236AB

漏源电压(Vdss)

60V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

40pF @ 10V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

300mA (Ta)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

4.5V, 10V