产品参数
系列
-
型电晶体
P-Channel
vg (Max)
±20V
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性
-
零件状态
Obsolete
安装形式
Surface Mount
包装箱
ATPAK (2 leads+tab)
Vgs(th) (Max) @ Id
-
操作温度
150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, vg
30mOhm @ 13A, 10V
最大功耗
30W (Tc)
供应商产品包装
ATPAK
闸极电荷(Max) @ vg
18.5nC @ 10V
漏源电压(Vdss)
30V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds
875pF @ 10V
电流-连续漏(Id) @ 25°C
25A (Ta)
驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)
4.5V, 10V
