BS170-D26Z

产品参数

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系列

-

型电晶体

N-Channel

包装

Cut Tape (CT)

vg (Max)

±20V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Active

安装形式

Through Hole

包装箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

基础零件号

BS170

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

5Ohm @ 200mA, 10V

最大功耗

830mW (Ta)

供应商产品包装

TO-92-3

漏源电压(Vdss)

60V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

40pF @ 10V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

500mA (Ta)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

10V