产品参数
系列
HiPerFET™, Polar™
型电晶体
N-Channel
包装
Tube
vg (Max)
±20V
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性
-
零件状态
Active
安装形式
Through Hole
包装箱
TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, vg
104mOhm @ 18.5A, 10V
最大功耗
357W (Tc)
供应商产品包装
TO-220-3
闸极电荷(Max) @ vg
145nC @ 10V
漏源电压(Vdss)
600V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds
6130pF @ 25V
电流-连续漏(Id) @ 25°C
37A (Tc)
驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)
10V
