Menu Navigation

HGT1S10N120BNST
图片仅供参考。有关产品详细信息,请参阅产品规格
thumb-0

HGT1S10N120BNST

IGBT 1200V 35A 298W TO263AB


生产商: ON Semiconductor

数据表: HGT1S10N120BNST

价格:

USD $0.66

库存: 1209 pcs

产品参数

系列
-
型号
NPT
包装
Digi-Reel®
输入类型
Standard
闸极电荷
100nC
零件状态
Active
整机最大功率
298W
安装形式
Surface Mount
包装箱
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
测试条件
960V, 10A, 10Ohm, 15V
基础零件号
HGT1S10N120
转换能量
320µJ (on), 800µJ (off)
Td(开/关)@ 25°C
23ns/165ns
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
供应商产品包装
TO-263AB
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 10A
集电极(Ic) (Max)
35A
电流集电极脉冲(Icm)
80A
电压-集电极发射极击穿(Max)
1200V

你可能感兴趣