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产品参数
系列
-
型电晶体
P-Channel
包装
Tube
vg (Max)
±20V
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应晶体管的特性
-
零件状态
Obsolete
安装形式
Through Hole
包装箱
TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, vg
30mOhm @ 60A, 10V
最大功耗
215W (Tc)
供应商产品包装
TO-247-3
闸极电荷(Max) @ vg
450nC @ 20V
漏源电压(Vdss)
50V
输入电容(Ciss) (Max) @ Vds
7200pF @ 25V
电流-连续漏(Id) @ 25°C
60A (Tc)
驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)
10V
