2SK0615

产品参数

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系列

-

型电晶体

N-Channel

包装

Bulk

vg (Max)

20V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Obsolete

安装形式

Through Hole

包装箱

3-SIP

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA

操作温度

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

4Ohm @ 500mA, 10V

最大功耗

1W (Ta)

供应商产品包装

M-A1

漏源电压(Vdss)

80V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

45pF @ 10V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

500mA (Ta)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

10V