SCT2080KEHRC11

产品参数

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系列

Automotive, AEC-Q101

型电晶体

N-Channel

vg (Max)

+22V, -6V

技术

SiCFET (Silicon Carbide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Active

安装形式

Through Hole

包装箱

TO-247-3

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 4.4mA

操作温度

175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

117mOhm @ 10A, 18V

最大功耗

-

供应商产品包装

TO-247N

闸极电荷(Max) @ vg

106nC @ 18V

漏源电压(Vdss)

1200V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

2080pF @ 800V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

40A (Tc)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

18V