HIP2100EIBZT

产品参数

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系列

-

闸极类型

N-Channel MOSFET

包装

Tape & Reel (TR)

输入类型

Non-Inverting

零件状态

Active

沟道导电类型

Independent

安装形式

Surface Mount

包装箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

基础零件号

HIP2100

稳压电源

9V ~ 14V

驱动数量

2

配置流驱动

Half-Bridge

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

升降时间(类型)

10ns, 10ns

供应商产品包装

8-SOIC-EP

逻辑电压- VIL, VIH

4V, 7V

高侧电压- Max(自举)

114V

电流峰值输出(源、汇)

2A, 2A