2SK3484-AZ

产品参数

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系列

-

型电晶体

N-Channel

包装

Bulk

vg (Max)

±20V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Active

安装形式

Through Hole

包装箱

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Vgs(th) (Max) @ Id

-

操作温度

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

125mOhm @ 8A, 10V

最大功耗

1W (Ta), 30W (Tc)

供应商产品包装

TO-251 (MP-3)

闸极电荷(Max) @ vg

20nC @ 10V

漏源电压(Vdss)

100V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 10V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

16A (Tc)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

4.5V, 10V