2SK4150TZ-E

产品参数

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系列

-

型电晶体

N-Channel

包装

Tape & Reel (TR)

vg (Max)

±10V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Obsolete

安装形式

Through Hole

包装箱

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Vgs(th) (Max) @ Id

-

操作温度

150°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

5.7Ohm @ 200mA, 4V

最大功耗

750mW (Ta)

供应商产品包装

TO-92

闸极电荷(Max) @ vg

3.7nC @ 4V

漏源电压(Vdss)

250V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

80pF @ 25V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

400mA (Ta)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

2.5V, 4V