HAT1069C-EL-E

产品参数

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系列

-

型电晶体

P-Channel

vg (Max)

±8V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Obsolete

安装形式

Surface Mount

包装箱

6-SMD, Flat Leads

Vgs(th) (Max) @ Id

1.2V @ 1mA

操作温度

150°C

Rds On (Max) @ Id, vg

52mOhm @ 1.5A, 4.5V

最大功耗

900mW (Ta)

供应商产品包装

6-CMFPAK

闸极电荷(Max) @ vg

16nC @ 4.5V

漏源电压(Vdss)

12V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

1380pF @ 10V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

4A (Ta)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

1.8V, 4.5V