HAT2033RWS-E

产品参数

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系列

-

型电晶体

N-Channel

vg (Max)

±20V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Obsolete

安装形式

Surface Mount

包装箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Vgs(th) (Max) @ Id

2.2V @ 1mA

操作温度

150°C

Rds On (Max) @ Id, vg

38mOhm @ 4A, 10V

最大功耗

2.5W (Ta)

供应商产品包装

8-SOP

漏源电压(Vdss)

60V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

740pF @ 10V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

7A (Ta)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

4V, 10V