NP100N04PUK-E1-AY

产品参数

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系列

-

型电晶体

N-Channel

包装

Tube

vg (Max)

±20V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Active

安装形式

Surface Mount

包装箱

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA

Vgs(th) (Max) @ Id

-

操作温度

175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

2.3mOhm @ 50A, 10V

最大功耗

1.8W (Ta), 176W (Tc)

供应商产品包装

TO-263

闸极电荷(Max) @ vg

120nC @ 10V

漏源电压(Vdss)

40V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

7050pF @ 25V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

100A (Tc)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

10V