NP160N04TDG-E1-AY

产品参数

---

系列

-

型电晶体

N-Channel

包装

Tape & Reel (TR)

vg (Max)

±20V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Obsolete

安装形式

Surface Mount

包装箱

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

操作温度

175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

2mOhm @ 80A, 10V

最大功耗

1.8W (Ta), 220W (Tc)

供应商产品包装

TO-263-7

闸极电荷(Max) @ vg

270nC @ 10V

漏源电压(Vdss)

40V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

15750pF @ 25V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

160A (Ta)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

4.5V, 10V