NP50P03YDG-E1-AY

产品参数

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系列

-

型电晶体

P-Channel

包装

Tape & Reel (TR)

vg (Max)

±20V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Active

安装形式

Surface Mount

包装箱

8-SMD, Flat Lead Exposed Pad

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

操作温度

175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

8.4mOhm @ 25A, 10V

最大功耗

1W (Ta), 102W (Tc)

供应商产品包装

8-HSON

闸极电荷(Max) @ vg

96nC @ 10V

漏源电压(Vdss)

30V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

3500pF @ 25V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

50A (Tc)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

5V, 10V