NP82N04PDG-E1-AY

产品参数

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系列

-

型电晶体

N-Channel

包装

Tape & Reel (TR)

vg (Max)

±20V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Obsolete

安装形式

Surface Mount

包装箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

操作温度

175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

3.5mOhm @ 41A, 10V

最大功耗

1.8W (Ta), 143W (Tc)

供应商产品包装

TO-263

闸极电荷(Max) @ vg

150nC @ 10V

漏源电压(Vdss)

40V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

9000pF @ 25V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

82A (Tc)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

4.5V, 10V