NP89N04NUK-S18-AY

产品参数

---

系列

-

型电晶体

N-Channel

包装

Tube

vg (Max)

±20V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Active

安装形式

Through Hole

包装箱

TO-262-3 Full Pack, I²Pak

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

操作温度

175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

3.3mOhm @ 45A, 10V

最大功耗

1.8W (Ta), 147W (Tc)

供应商产品包装

TO-262

闸极电荷(Max) @ vg

102nC @ 10V

漏源电压(Vdss)

40V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

5850pF @ 25V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

90A (Tc)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

10V