RJK2009DPM-00#T0

产品参数

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系列

-

型电晶体

N-Channel

包装

Tube

vg (Max)

±30V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Active

安装形式

Through Hole

包装箱

TO-3PFM, SC-93-3

Vgs(th) (Max) @ Id

-

操作温度

-

Rds On (Max) @ Id, vg

36mOhm @ 20A, 10V

最大功耗

60W (Tc)

供应商产品包装

TO-3PFM

闸极电荷(Max) @ vg

72nC @ 10V

漏源电压(Vdss)

200V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

2900pF @ 25V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

40A (Ta)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

10V