RJK6002DPD-WS#J2

产品参数

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系列

-

型电晶体

N-Channel

vg (Max)

±30V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Obsolete

安装形式

Surface Mount

包装箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 1mA

操作温度

150°C

Rds On (Max) @ Id, vg

6.8Ohm @ 1A, 10V

最大功耗

30W (Tc)

供应商产品包装

MP-3A

闸极电荷(Max) @ vg

6.2nC @ 10V

漏源电压(Vdss)

600V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

165pF @ 25V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

2A (Ta)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

10V