SCT10N120

产品参数

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系列

-

型电晶体

N-Channel

包装

Tube

vg (Max)

+25V, -10V

技术

SiCFET (Silicon Carbide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Active

安装形式

Through Hole

包装箱

TO-247-3

基础零件号

SCT10

Vgs(th) (Max) @ Id

3.5V @ 250µA

操作温度

-55°C ~ 200°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

690mOhm @ 6A, 20V

最大功耗

150W (Tc)

供应商产品包装

HiP247™

闸极电荷(Max) @ vg

22nC @ 20V

漏源电压(Vdss)

1200V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 400V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

12A (Tc)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

20V