STB200N4F3

产品参数

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系列

STripFET™

型电晶体

N-Channel

包装

Tape & Reel (TR)

vg (Max)

±20V

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应晶体管的特性

-

零件状态

Obsolete

安装形式

Surface Mount

包装箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

基础零件号

STB200N

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

Rds On (Max) @ Id, vg

4mOhm @ 80A, 10V

最大功耗

300W (Tc)

供应商产品包装

D2PAK

闸极电荷(Max) @ vg

75nC @ 10V

漏源电压(Vdss)

40V

输入电容(Ciss) (Max) @ Vds

5100pF @ 25V

电流-连续漏(Id) @ 25°C

120A (Tc)

驱动电压(最大Rds On，最小Rds On)

10V